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产品简介:
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MRFE6S9201HR3 是恩智浦(NXP)推出的高性能射频LDMOS功率晶体管,专为高频、高效率、高可靠性射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括: - 蜂窝基站射频功放:广泛用于4G LTE及5G Sub-6 GHz宏基站和微基站的末级功率放大器(PA),支持860–960 MHz频段(如B5/B8/B20/B38/B41等),满足高输出功率(连续波下典型200 W)、高增益(≥17.5 dB)与高效率(>65%)需求。 - 广播发射系统:适用于FM广播(87.5–108 MHz)和TV发射机中的中/高功率射频放大模块,具备优异的线性度与热稳定性。 - 工业、科学与医疗(ISM)射频源:如等离子体发生器、RF加热设备(如915 MHz ISM频段),依赖其宽禁带耐压、高结温(Tj = 200°C)和坚固的抗VSWR能力(可承受10:1负载失配)。 - 雷达与通信系统:在L波段(~1 GHz)战术通信、空中交通管制(ATC)雷达等军用/民用固态发射模块中,提供高可靠性脉冲或连续波输出。 该器件采用陶瓷封装(NI-780H),支持风冷或液冷散热,需配合匹配网络与偏置电路使用。其R3后缀表示卷带包装,适用于自动化贴片生产。注意:实际应用中须严格遵循NXP推荐的PCB布局、热管理及驱动条件,以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 40W 28V NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9201HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 40W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |