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- 型号： MRFE6S9200HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9200HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9200HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9200HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9200HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9200HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9200HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 1.8–2.0 GHz（支持 1800–2000 MHz 宽带），额定输出功率达 200 W（连续波，CW），具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： - 蜂窝基站射频功率放大器（PA）：广泛用于 4G LTE 及部分 5G Sub-6 GHz 基站的末级功放模块，尤其适用于宏基站和分布式基站（BBU+RRU 架构）中的 1.8–2.0 GHz 频段（如中国 D 频段、FDD-LTE Band 3/25）。 - 无线基础设施设备：如中继器、微基站、小型蜂窝（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的高线性度射频发射链路。 - 工业与广播应用：适用于 RFID 读写器、医疗射频加热设备、以及低功率电视/广播激励器等需稳定 CW 或 OFDM 信号放大的场景。 该器件采用陶瓷封装（HR5 封装，即 NI-780H-4L），支持高功率密度安装与高效散热，符合 RoHS 标准，适用于严苛的通信环境。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR 耐受设计）使用，以充分发挥其线性度与可靠性优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 58W 28V NI-880 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9200HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 58W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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