Datasheet下载- 型号： MRFE6S9135HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9135HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9135HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9135HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9135HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9135HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9135HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 130–945 MHz（支持 VHF/UHF 频段），输出功率达 135 W（连续波），具备高增益（典型值约 22 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： - 广播发射设备：用于 FM 广播（87.5–108 MHz）、电视发射机（VHF/UHF 波段）的末级功率放大； - 无线通信基站：适用于陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信（如 TETRA、P25）、窄带宽带系统中的中继/基站射频功放模块； - 工业与科学射频源：如等离子体发生器、MRI 射频激励源、RF 加热设备等需稳定大功率射频输出的场合； - 军事与航空电子：雷达激励器、战术通信电台、电子对抗（EW）系统的固态射频功率放大级。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷，配合 NXP 推荐的匹配电路与偏置方案（如 Class AB 工作模式），可实现线性度与效率的良好平衡。广泛应用于高可靠性、高功率密度要求的商用及专业级射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9135HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 940MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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