Datasheet下载- 型号： MRFE6S9135HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6S9135HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6S9135HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6S9135HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6S9135HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6S9135HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6S9135HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为高频、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 130–960 MHz（支持 VHF/UHF 宽带），额定输出功率达 135 W（连续波，CW），具备高增益（典型值约 22 dB）、高效率（典型漏极效率 >65%）及优异的热稳定性和可靠性。 主要应用场景包括： • 广播发射设备：用于 FM 广播、电视（DTV）及数字音频广播（DAB）发射机的末级功率放大器； • 无线通信基础设施：适用于陆地移动电台（LMR）、公共安全通信（如 TETRA、P25）、业余无线电及基站中继系统； • 工业与医疗射频源：如等离子体发生器、MRI 射频功放模块、RF 加热与干燥设备； • 军用/航空电子系统：雷达激励器、电子对抗（ECM）和通信跳频放大模块（需满足 MIL-STD 可靠性要求）。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或水冷散热，配合 NXP 推荐的匹配电路与偏置方案，可实现宽带线性放大与高动态范围性能。其集成ESD保护与坚固的工艺设计，适合在严苛电磁环境及长期连续运行工况下使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 39W 28V NI-880S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRFE6S9135HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880S |
| 功率-输出 | 39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 21dB |
| 封装/外壳 | NI-880S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 66V |
| 电流-测试 | 1A |
| 频率 | 940MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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