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  • 型号: MRF9135LR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9135LR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9135LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF9135LR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF9135LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF9135LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF9135LR5 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能射频(RF)LDMOS MOSFET,专为高频、高效率功率放大设计。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz(支持PCS、WCDMA、LTE FDD Band 1/3/25等),额定输出功率约35 W(连续波),具备高增益(典型17 dB)、高漏极效率(>60%)和优异的热稳定性。

主要应用场景包括:  
- 蜂窝基站功率放大器:广泛用于宏基站和微基站的末级功放(PA),尤其适用于4G LTE及部分5G Sub-6 GHz基础设施;  
- 无线通信中继与直放站:在信号增强设备中提供稳定、线性度良好的射频功率输出;  
- 工业与专用无线系统:如公共安全通信(TETRA、P25)、宽带无线接入(WiMAX遗留系统)及ISM频段设备;  
- 测试与开发平台:作为射频实验室和量产产线中射频PA模块的参考器件,用于验证匹配网络、散热设计及线性化算法(如DPD)。

该器件采用气腔陶瓷封装(SOT-1222A),支持法兰安装与强制风冷,强调可靠性与长期运行稳定性,符合基站设备严苛的MTBF要求。需配合NXP推荐的输入/输出匹配电路及偏置方案以实现最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

IC MOSFET RF N-CHAN NI-780

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

MRF9135LR5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-780

功率-输出

25W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

17.8dB

封装/外壳

NI-780

晶体管类型

LDMOS

标准包装

50

电压-测试

26V

电压-额定

65V

电流-测试

1.1A

频率

880MHz

额定电流

10µA

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