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- 型号： MRF9060NBR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9060NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9060NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9060NBR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9060NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9060NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MRF9060NBR1 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产，属于射频 MOSFET 器件，广泛应用于射频功率放大领域。其主要应用场景包括： 1. 无线通信基站：用于蜂窝网络（如GSM、CDMA、LTE等）的射频功率放大器模块，提升信号传输距离和稳定性。 2. 广播发射设备：适用于调频（FM）或电视广播发射机中的射频功率放大，确保高效稳定的信号输出。 3. 工业与商业射频系统：如射频加热、测试测量设备及专用通信系统中作为高效率功率放大元件。 4. 军事与航空航天通信：因其可靠性和高功率特性，常用于军用通信设备及雷达系统中的射频放大环节。 该器件具备高增益、低失真和良好热稳定性的特点，适合需要连续波（CW）或脉冲工作模式的高频应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9060NBR1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-2 |
| 功率-输出 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | TO-272-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 26V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 945MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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