【未分类_MRF9060MR1】封装/厂家_MRF9060MR1中文资料_价格

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型号： MRF9060MR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9060MR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9060MR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9060MR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF9060MR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9060MR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF9060MR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能 双通道 LDMOS 射频功率晶体管阵列（虽常被归类于“晶体管 - FET/MOSFET 阵列”，但严格而言属于射频专用 LDMOS，非通用逻辑/电源 MOSFET）。其典型应用场景集中于 400–1000 MHz 宽带射频功率放大领域，尤其适用于：

- 陆地移动无线电（LMR）系统：如 TETRA、P25（APCO-25）、DMR 等数字集群通信基站与中继台的末级功放（PA），支持高效率、高线性度多载波信号放大；
- 宽带无线基础设施：小型蜂窝基站（Small Cell）、分布式天线系统（DAS）中的中等功率射频前端模块；
- 工业/公共安全通信设备：应急通信车、便携式/车载式大功率电台，需在严苛温度（–40°C 至 +150°C 结温）和宽电压（28 V 标称供电）下稳定工作；
- ISM 频段应用：如 433 MHz / 868 MHz / 915 MHz 频段的 RFID 读写器、无线传感器网络网关等中功率发射模块。

该器件采用 SO-8 封装（含裸焊盘），集成双独立 LDMOS 晶体管，具备高增益（典型 17 dB @ 900 MHz）、高输出功率（单通道可达 60 W P1dB）、良好热稳定性及内置 ESD 保护，显著简化多路射频设计。需配合匹配电路与散热设计使用，不适用于低频开关或数字逻辑场景。

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