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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF9030GNR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF9030GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF9030GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF9030GNR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF9030GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF9030GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF9030GNR1 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 晶体管，专为 900–1000 MHz 频段设计，典型工作频率为 945 MHz（如 GSM/EDGE 基站应用）。其主要应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于宏基站和微基站的末级功率放大（PA），支持 GSM、EDGE、LTE-FDD 等标准，具备高增益（约 17 dB）、高效率（典型 PAE > 65%）及优异线性度，满足严苛的邻道泄漏比（ACLR）要求。 - 无线基础设施设备：适用于中继器、直放站、分布式天线系统（DAS）等需中等输出功率（典型 Pout = 30 W 连续波 / 60 W 脉冲）的射频前端模块。 - 工业与广播应用：在 UHF 频段的 RFID 读写器、无线麦克风系统、数字地面电视（DTTB）激励器等场景中，提供稳定可靠的射频功率输出。 该器件采用气腔陶瓷封装（TO-270WB-4），具备优良热管理能力，支持连续波（CW）和脉冲工作模式，并内置ESD保护。其高可靠性与宽安全工作区（SOA）使其适用于长期运行的通信基础设施环境。 （注：MRF9030GNR1 已列入NXP停产计划，新设计建议评估替代型号如 MRF9030NBR1 或最新RF LDMOS系列。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH TO-270-2 GW |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF9030GNR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | TO-270-2 鸥翼型 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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