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产品简介:
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MRF8S9260HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频(RF)LDMOS 功率晶体管,专为 925–960 MHz 频段设计,典型应用包括: 1. 蜂窝基站功率放大器:广泛用于 GSM、EDGE、LTE FDD 等 2G/3G/4G 基站的末级功放(PA),支持高效率(典型 PAE > 60%)、高线性度和高输出功率(连续波下可达 260 W,脉冲下更高); 2. 宏基站与微基站:适用于多载波、宽带信号(如 20 MHz LTE 信号)的高动态范围放大,具备优异的ACLR(邻道泄漏比)性能,满足严苛的通信标准; 3. 无线基础设施设备:如远程射频单元(RRU)、有源天线系统(AAS)及分布式天线系统(DAS)中的射频发射链路; 4. 工业与广播应用:部分场景用于 UHF 频段的数字电视(DTV)激励器或专业无线通信系统(如公共安全、PMR)。 该器件采用高可靠性陶瓷封装(NI-780H),支持风冷或液冷散热,内置ESD保护与热监控兼容设计,适用于高可靠性、长时间连续运行的通信基础设施环境。注意:其工作需配合匹配网络、偏置电路及驱动级设计,并严格遵循NXP推荐的PCB布局与热管理规范。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9260HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-880 |
| 功率-输出 | 75W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.6dB |
| 封装/外壳 | NI-880 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.7A |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | - |