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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9220HSR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9220HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9220HSR3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8S9220HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8S9220HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF8S9220HSR3的射频MOSFET晶体管,由NXP USA Inc.生产,主要应用于射频功率放大领域。该器件特别适用于工作频率在800MHz至1GHz范围内的无线通信系统,如蜂窝基站、广播传输设备和工业射频加热系统等。 MRF8S9220HSR3采用先进的LDMOS技术,具有高增益、高效率和良好热稳定性的特点,能够在高功率条件下稳定工作。其内置的热保护和静电放电(ESD)保护功能增强了器件在复杂电磁环境中的可靠性,适合用于基站功率放大器、无线基础设施设备以及射频测试仪器等场景。 此外,该器件支持高电压工作(通常为28V),适用于需要高线性度和输出功率的应用,如LTE、5G等现代通信标准下的射频放大模块设计。由于其高集成度和优良的性能,MRF8S9220HSR3广泛用于通信设备制造商的射频前端模块中,满足高效能、高稳定性通信系统的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9220HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 65W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.4db |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 960MHz |
| 额定电流 | - |