Datasheet下载- 型号： MRF8S9100HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
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MRF8S9100HSR5是由NXP USA Inc.生产的射频MOSFET晶体管，主要应用于高频和高功率的射频放大器领域。以下是该型号的应用场景： 1. 射频功率放大器：MRF8S9100HSR5广泛用于射频功率放大器中，特别是在需要高功率输出和高效能的场合。例如，在基站、无线电通信设备、卫星通信系统等基础设施中，它能够提供稳定的功率输出，确保信号传输的质量和距离。 2. 雷达系统：在军事和民用雷达系统中，MRF8S9100HSR5可以作为关键的射频功率放大组件，帮助提高雷达系统的探测范围和精度。其高频率特性和大功率处理能力使其非常适合这类应用。 3. 无线通信设备：包括蜂窝基站、Wi-Fi路由器和其他无线通信设备。这些设备需要高效的射频功率放大器来增强信号覆盖范围并减少干扰。MRF8S9100HSR5的高性能和可靠性使其成为理想选择。 4. 测试与测量仪器：在研发和生产过程中，用于测试和测量射频信号的仪器也需要高质量的射频功率放大器。MRF8S9100HSR5可以为这些设备提供所需的功率输出，确保测试结果的准确性和一致性。 5. 广播电视发射机：广播电台和电视台使用的发射机需要强大的射频功率放大器来传输音频和视频信号。MRF8S9100HSR5凭借其卓越的性能，可以在这些应用中提供稳定可靠的功率输出。 6. 工业加热和等离子体生成：在一些工业应用中，如材料加工、焊接和等离子体生成，射频能量被用来加热或激发物质。MRF8S9100HSR5可以作为射频电源的关键组件，提供必要的功率和频率控制。 总之，MRF8S9100HSR5因其出色的射频性能和高功率处理能力，适用于多种需要高效射频放大的应用场景，尤其在通信、雷达、测试仪器和工业领域表现优异。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 100W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S9100HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 920MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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