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- 型号： MRF8S26060HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S26060HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S26060HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S26060HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S26060HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S26060HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S26060HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 B41 LTE-TDD 及 5G NR n41 频段）。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站功率放大器（PA）：适用于大规模 MIMO 和有源天线单元（AAU）中的末级功放，支持高平均输出功率（60W P3dB）、高增益（≥17 dB）和高效率（典型 55% @ 2.65 GHz），满足 5G 网络对容量与覆盖的严苛要求。 - LTE-Advanced 基站发射链路：广泛用于 2.6 GHz 频段的室外宏站、微基站及分布式基站（D-RAN），支持 20–100 MHz 带宽信号，具备优异的线性度与ACLR性能，兼容DPD（数字预失真）技术以提升频谱效率。 - 无线通信基础设施设备：如直放站、小型蜂窝（Small Cell）增强模块及测试用射频信号源，得益于其集成ESD保护、高可靠性封装（NI-780H-4L）及宽温度工作范围（−40°C 至 +105°C 结温），适合长期连续运行环境。 该器件采用高热效陶瓷封装（HSR5），支持直接风冷或液冷散热，便于系统集成。不适用于消费类终端或低功率应用（如Wi-Fi/蓝牙），亦非通用开关或电源管理用途。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF TRANSISTOR |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S26060HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 15.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.3dB |
| 封装/外壳 | NI-400S-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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