图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： MRF8S26060HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S26060HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S26060HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S26060HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S26060HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S26060HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S26060HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.6–2.7 GHz 频段设计（典型用于 LTE-TDD、5G NR Sub-6 GHz 基站）。其主要应用场景包括： - 宏基站功率放大器（PA）：适用于 4G LTE 和 5G 移动通信基站的末级功放，支持高输出功率（典型60 W连续波/脉冲）、高增益（≥17 dB）和高效率（>60%），满足大规模MIMO和多载波系统对线性度与散热性能的严苛要求。 - 无线基础设施设备：集成于RRU（射频拉远单元）和AAU（有源天线单元）中，支持20–100 MHz带宽信号放大，具备优异的ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）性能，满足3GPP标准。 - 工业与专用无线系统：可用于点对点微波回传、公共安全宽带通信（如TETRA增强型或FirstNet）、以及小型化5G专网基站等场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性热管理，可直接安装于散热器；R3后缀表示符合AEC-Q200以外的工业级可靠性标准（非车规），但广泛用于严苛环境下的通信设备。需配合匹配电路、偏置网络及数字预失真（DPD）技术使用以优化线性度。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF TRANSISTOR |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S26060HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 15.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.3dB |
| 封装/外壳 | NI-400S-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF8S26060HSR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商