【未分类_MRF8S23120HR3】封装/厂家_MRF8S23120HR3中文资料_价格

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型号： MRF8S23120HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S23120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S23120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S23120HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8S23120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S23120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S23120HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.3–2.4 GHz频段设计（典型用于WCDMA、LTE及5G Sub-6 GHz基站的上行/下行链路）。其主要应用场景包括：

• 宏蜂窝/微蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于2.3–2.4 GHz频段的多载波（MC-CDMA/LTE）通信系统，支持高输出功率（典型120 W连续波或峰值包络功率）、高增益（>17 dB）和高效率（>55%漏极效率），满足基站对线性度与散热的严苛要求。

• 无线基础设施设备：广泛用于分布式基站（BBU+RRU架构）、有源天线单元（AAU）及小基站（Small Cell）中的末级射频功放模块，尤其适配TD-LTE与NR（5G NR Band 40/41）应用。

• 工业与专用通信系统：如公共安全宽带通信（TETRA增强型）、专网无线系统（e.g., LTE-Uu 或 5G专网）中需高可靠性、宽温度范围（–40°C 至 +150°C结温）运行的射频发射链路。

该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热性能与功率密度，支持AB类偏置以兼顾效率与线性度，并兼容Doherty架构设计。注意：实际应用中需配合匹配网络、驱动级及数字预失真（DPD）技术以满足ACLR与EVM等3GPP标准指标。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 120W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S23120HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	800mA
频率	2.3GHz
额定电流	-