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- 型号： MRF8S19260HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19260HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19260HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19260HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19260HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19260HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19260HSR6是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高功率LDMOS器件，主要应用于射频功率放大。该器件典型用于ISM（工业、科学和医疗）频段以及公共安全通信系统中的高频放大电路。 其主要应用场景包括：陆地移动无线电（如警用、消防、急救等双向通信系统）、基站功率放大器、高频率无线基础设施设备，以及在803–870 MHz频段内工作的射频放大系统。该器件具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合在高功率连续波（CW）或调制信号条件下稳定运行。 此外，MRF8S19260HSR6常用于大功率线性放大器设计中，满足对信号覆盖范围广、传输可靠性高的专业无线通信需求。由于其采用紧凑的表面贴装封装（R-6），有助于简化PCB布局并提升散热性能，因此广泛应用于需要高集成度和高可靠性的射频系统中。 总之，该型号适用于高性能、高稳定性的专业射频通信设备，特别是在公共安全、应急通信和专用无线网络等领域发挥重要作用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1.9GHZ 30V NI1230S-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19260HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | - |
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