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- 型号： MRF8S19140HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S19140HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S19140HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S19140HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S19140HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S19140HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S19140HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.0 GHz 频段（如 PCS、WCDMA、LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝通信基站功率放大器（PA）：适用于宏基站和中型基站的末级射频功放，支持高输出功率（140 W P3dB）、高增益（≥17 dB）与高效率（典型值约 55% @ 1.96 GHz），满足 4G LTE 和 5G NR 的严苛线性度与带宽要求。 - 无线基础设施设备：用于分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）增强模块及有源天线单元（AAU）中的射频前端，支持多载波信号与复杂调制（如 256-QAM）。 - 工业与专用通信系统：适用于公共安全通信（如 TETRA、P25）、宽带无线接入（WiMAX）及军用/航空通信中的高可靠性射频发射链路。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与长期可靠性，支持连续波（CW）及高峰均比（PAR）信号（配合DPD数字预失真技术使用）。需搭配匹配电路、稳定偏置及高效散热设计以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1960MHZ 28V NI780HS |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S19140HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 34W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 1.96GHz |
| 额定电流 | - |
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