Datasheet下载- 型号： MRF8S18260HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18260HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18260HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18260HSR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18260HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18260HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18260HSR6 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET 功率晶体管，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：广泛用于 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站（Macrocell）及微基站（Microcell）的末级功率放大器（PA），支持 1805–1880 MHz（B3/B8）及 2500–2690 MHz（B7/B41）等主流频段。 - 多载波宽带通信系统：具备优异的宽带匹配能力（典型工作带宽达 100–200 MHz），适用于 Doherty 架构 PA 设计，满足高 PAR（峰均比）信号（如 OFDM、WCDMA、LTE-A）的高效线性放大需求。 - 工业与广播应用：可用于 UHF 频段的无线通信中继、公共安全电台、数字电视（DTV）发射辅助放大及雷达激励级等中高功率 RF 放大场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成源极键合焊盘和优化热设计，支持连续波（CW）及脉冲工作模式，额定输出功率达 260 W（P1dB），典型漏极效率 > 55%（在 1880 MHz），并具备出色的热稳定性和长期可靠性。需配合匹配网络、偏置电路及适当散热方案使用，常搭配 NXP 的射频驱动器（如 MRFE6VP61K）构建完整 PA 子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 260W NI1230S-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18260HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 74W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.9dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.6A |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | - |
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