Datasheet下载- 型号： MRF8S18120HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18120HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18120HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18120HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18120HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18120HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18120HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 1.8–2.2 GHz 频段（典型工作频段：1.8–2.0 GHz）设计，适用于高功率、高效率的无线通信基站发射链路。其主要应用场景包括： - 4G LTE 和 5G Sub-6 GHz 宏基站/微基站功率放大器（PA）：支持多载波信号（如20–40 MHz带宽），具备高增益（典型17 dB）、高输出功率（连续波下可达120 W，峰值功率更高）及优异的线性度与ACLR性能，满足严苛的通信标准。 - 宽带无线接入系统（如WiMAX、WCDMA）：适用于基站末级功放模块，尤其适合需要高可靠性与热稳定性的室外型设备。 - 工业、科学与医疗（ISM）频段应用：在2.4 GHz附近经适当匹配后，亦可用于特定ISM射频加热或雷达激励源等场景（需重新设计匹配网络并验证）。 该器件采用高热效气腔封装（NI-780H），支持风冷/液冷散热，内置ESD保护，符合RoHS标准，广泛用于电信设备制造商（OEM）的高集成度PA模组中。注意：实际应用需严格遵循NXP推荐的偏置条件（如VDD=28 V）、输入/输出阻抗匹配及稳定性设计，以确保长期可靠运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S18120HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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