【未分类_MRF8P9300HSR5】封装/厂家_MRF8P9300HSR5中文资料_价格

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型号： MRF8P9300HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P9300HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P9300HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P9300HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P9300HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P9300HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P9300HSR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 860–960 MHz 频段设计，典型工作频率覆盖 UHF 无线通信频段（如 870–960 MHz），适用于高效率、高线性度的射频功率放大场景。

其主要应用场景包括：  
- 陆地移动无线电（LMR）系统：如 TETRA、P25（APCO-25）、DMR 等专业通信基站和中继台的末级功率放大器；  
- 蜂窝基础设施：小型基站（Small Cell）、微基站及分布式天线系统（DAS）中用于 900 MHz 频段的宏/微覆盖增强；  
- 工业、科学与医疗（ISM）设备：如 RFID 读写器（902–928 MHz）、无线能量传输或等离子体发生器等需稳定射频功率输出的工业应用；  
- 广播辅助设备：低功率电视发射、无线麦克风中继、数字音频广播（DAB）增强模块等。

该器件采用高热效的 NI-780H-4 封装，支持高输出功率（典型 P1dB ≥ 300 W，Gps > 18 dB），具备优异的热稳定性和坚固的抗失配能力（VSWR ≥ 10:1），适合连续波（CW）及高峰均比（PAPR）调制信号（如 OFDM、QAM）的宽带放大。广泛应用于对可靠性、效率与尺寸有严苛要求的商用与工业级射频功放设计中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-1230HS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8P9300HSR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230S
功率-输出	100W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.4db
封装/外壳	NI-1230S
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	2.4A
频率	960MHz
额定电流	-