【未分类_MRF8P9040GNR1】封装/厂家_MRF8P9040GNR1中文资料_价格

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型号： MRF8P9040GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P9040GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P9040GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P9040GNR1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P9040GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P9040GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P9040GNR1 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 MOSFET，专为 860–960 MHz 频段设计（典型工作频段：869–894 MHz 上行 / 925–960 MHz 下行），采用气腔封装（Over-Molded Air Cavity），具备高增益、高效率与优异热稳定性。

主要应用场景包括：  
• 蜂窝基站射频功放（PA）：广泛用于 2G/3G/4G（LTE FDD/TDD）宏基站及微基站的末级功率放大器，支持高线性度要求的多载波信号放大；  
• 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和直放站（Repeater）中的射频发射链路；  
• 工业与专用通信系统：适用于数字地面电视（DTTV）发射、公共安全通信（如TETRA、P25中继台）、以及ISM频段相关高可靠性射频功率应用；  
• 测试与仪表设备：作为宽带射频信号源或功率放大模块，用于EMC测试、射频仿真系统等场景。

该器件支持AB类偏置，典型输出功率达40 W（连续波），饱和功率超50 W，漏极效率约65%（945 MHz），并集成ESD保护与高可靠性封装，适配严苛的室外基站环境。需配合匹配网络、散热片及稳定偏置电路使用。  

（注：不适用于5G Sub-6 GHz大规模MIMO有源阵列，因其为单管分立器件，非集成前端模块。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	IC MOSFET RF N-CHAN TO-270
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P9040GNR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4 鸥翼形
功率-输出	4W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.1dB
封装/外壳	TO-270BB
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	320mA
频率	960MHz
额定电流	-