【未分类_MRF8P29300HR5】封装/厂家_MRF8P29300HR5中文资料_价格

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型号： MRF8P29300HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P29300HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P29300HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P29300HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P29300HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P29300HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P29300HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 MOSFET，专为高频、高效率、大功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为 2.7–2.9 GHz（支持 2.9 GHz 频段），输出功率可达 300 W（脉冲或连续波模式），具备高增益（约 16–18 dB）、高漏极效率（>65%）及优异的热稳定性和可靠性。

主要应用场景包括：  
✅ 5G 基站发射系统：适用于 2.6–2.9 GHz 主流 5G NR 频段（如 n7、n41、n77）的宏基站和 Massive MIMO 远程射频单元（RRU）末级功率放大器；  
✅ 宽带无线通信基础设施：用于点对点微波回传、WLAN 6E/7 基站、专用无线网络（如公共安全 LTE/5G）的高线性度功放模块；  
✅ 雷达与电子对抗系统：满足 L/S 波段雷达发射机对瞬态响应、功率容量和抗烧毁能力的要求；  
✅ 工业与科学射频源：如等离子体发生器、RF 加热设备中需稳定大功率射频输出的场合。

该器件采用陶瓷封装（H-36265-2），支持强制风冷或液冷散热，集成ESD保护结构，符合 RoHS 及 AEC-Q200（可选车规衍生型号）标准。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级（如预驱MOSFET或GaAs驱动器）协同使用，广泛应用于通信设备制造商（OEM）和射频子系统供应商的高可靠性产品中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET RF N-CH 65V NI1230射频MOSFET晶体管 HV8 300W 50V NI1230
产品分类	RF FET分离式半导体
品牌	Freescale Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF8P29300HR5-
数据手册
产品型号	MRF8P29300HR5
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	65 V
Vds-漏源极击穿电压	65 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	10 V
Vgs-栅源极击穿电压	10 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	1.9 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.9 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	320W
包装	带卷（TR）
单位重量	13.193 g
商标	Freescale Semiconductor
噪声系数	-
增益	13.3 dB at 2.9 GHz
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	NI-1230
封装/箱体	NI-1230
工厂包装数量	50
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	LDMOS（双）
最大工作温度	+ 150 C
标准包装	50
汲极/源极击穿电压	65 V
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	100mA
系列	MRF8P29300H
输出功率	320 W at Peak
配置	Dual
闸/源击穿电压	10 V
频率	2.7 GHz to 2.9 GHz
额定电流	-