Datasheet下载- 型号： MRF8P23160WHSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P23160WHSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P23160WHSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P23160WHSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P23160WHSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P23160WHSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P23160WHSR3是NXP USA Inc.生产的一款射频MOSFET晶体管，属于高性能LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）器件，主要应用于高功率射频放大场合。该器件典型工作频率范围覆盖DC至2.3 GHz，输出功率可达160W，具有高增益、高效率和良好的热稳定性。 其主要应用场景包括： 1. 蜂窝通信基站：广泛用于4G LTE及5G宏基站的功率放大器模块中，支持多载波放大需求，适用于Bands 30–37、38、40、41等频段，满足现代移动通信对高数据速率和覆盖范围的要求。 2. 工业与公共安全通信系统：在公共安全网络（如TETRA、P25）、应急通信和专网通信系统中提供稳定可靠的高功率射频输出。 3. 广播与无线基础设施：可用于数字电视（DTV）和无线宽带接入系统的射频功率放大环节。 4. 高可靠性环境应用：得益于其坚固的封装（采用全塑RH-PPAK封装）和出色的散热性能，适合在高温、高湿等严苛环境下长期运行。 MRF8P23160WHSR3集成了内置源极焊线优化设计，提升了高频性能和可靠性，同时兼容表面贴装工艺，便于自动化生产。配合适当的匹配电路和散热设计，可在多种射频系统中实现高效能与低功耗的平衡，是现代无线通信基础设施中的关键元器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 28V 2.4GHZ NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8P23160WHSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.1dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 600mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | - |
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