【未分类_MRF8P23080HR3】封装/厂家_MRF8P23080HR3中文资料_价格

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型号： MRF8P23080HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P23080HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P23080HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P23080HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P23080HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P23080HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P23080HR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）功率 LDMOS MOSFET，专为 2.3–2.7 GHz 频段设计，典型工作频率覆盖 B40（2.3–2.4 GHz）、B41（2.496–2.69 GHz）等 5G 和 LTE-TDD 宏基站频段。其主要应用场景包括：

- 5G/4G 宏蜂窝基站功率放大器（PA）：适用于大规模 MIMO（Massive MIMO）和有源天线单元（AAU）中的末级射频功放模块，支持高平均输出功率（典型 80W CW 或 80W PEP）、高增益（约 17 dB）与高效率（>55% 漏极效率），满足 5G NR 中高阶调制（如 256-QAM）对线性度和效率的严苛要求。

- 无线基础设施设备：用于分布式基站（DAS）、微波回传中继放大器及小基站（Small Cell）增强型远端射频单元（RRU），尤其适配需宽带宽、高可靠性与热稳定性的室外部署场景。

- 工业与科研射频源：在医疗射频消融、等离子体发生器、EMC 测试用宽带信号源等非通信领域，亦可作为 2.3–2.7 GHz 高功率固态射频激励源。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异的散热性能与长期可靠性，支持高电压（VDD = 28 V 或 32 V）偏置，集成ESD保护，符合 RoHS 与无卤素标准。注：实际应用需配合匹配网络、线性化电路（如DPD）及严格热管理设计。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF N-CH 2.3GHZ 28V NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P23080HR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	16W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14.6dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	280mA
频率	2.3GHz
额定电流	-