Datasheet下载- 型号： MRF8P20165WHR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20165WHR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20165WHR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20165WHR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20165WHR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20165WHR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20165WHR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.0–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2010–2025 MHz），额定输出功率达 165 W（连续波，CW），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站发射链路：尤其适用于 Sub-6 GHz 频段（如 n1、n28、n41 等）的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中的末级功率放大器（PA），支持高阶调制（如 256-QAM）和宽瞬时带宽（≥100 MHz）。 - 宽带无线接入系统：如 LTE-TDD / LTE-FDD 基站、小型基站（Small Cell）增强型功放模块，满足高增益（典型21 dB）、高功率附加效率（PAE ≥ 60% @ 2.14 GHz）需求。 - 工业与专用通信设备：包括公共安全通信（如 TETRA、P25 中继台）、广播辅助传输、雷达测试激励源等需稳定大功率射频输出的场景。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与高可靠性，支持偏置可调（Class AB 工作模式），并兼容包络跟踪（ET）和数字预失真（DPD）技术，适配现代绿色基站对能效与线性度的严苛要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 550MA NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20165WHR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.8dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.98GHz ~ 2.01GHz |
| 额定电流 | - |
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