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- 型号： MRF8P20160HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20160HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20160HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20160HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20160HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20160HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20160HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频功率LDMOS晶体管，专为2.0–2.2 GHz频段设计（典型工作频段：2010–2025 MHz），常用于4G LTE和5G Sub-6 GHz基站的宏蜂窝/微蜂窝射频功率放大器（PA）中。其典型应用场景包括： - 移动通信基站：作为末级功率放大器（Final PA），支持高效率（典型PAE > 55% @ 2.14 GHz）、高线性度（满足ACLR要求）和大输出功率（连续波下可达160 W，脉冲/调制信号下支持峰值功率需求），适用于TDD/FDD LTE及NR（5G NR Band n1/n3/n25/n41等）。 - 无线基础设施设备：集成于多载波、宽带预失真（DPD）系统中，配合数字预失真算法实现高谱纯度与低邻道泄漏（ACLR < –45 dBc），满足严苛的3GPP发射标准。 - 高可靠性场景：采用气腔封装（Ceramic Package），具备优异热稳定性与长期可靠性，适用于室外型RRU（射频拉远单元）及有源天线单元（AAU）等对散热与寿命要求高的部署环境。 该器件不适用于消费类或低功耗应用（如Wi-Fi模块、手机终端），亦非通用开关或电源管理用途——其设计严格面向大功率、高线性、宽带射频基站发射链路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DISCRETE RF FET |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20160HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 37W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 550mA |
| 频率 | 1.92GHz |
| 额定电流 | - |
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