Datasheet下载- 型号： MRF8P20140WHSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20140WHSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20140WHSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20140WHSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P20140WHSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20140WHSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P20140WHSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 MOSFET，专为高频、高效率、高功率放大应用设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站基础设施：适用于 1800–2200 MHz 频段（如 LTE Band 3/7/25/38），用于宏基站和小基站（Small Cell）的末级功率放大器（PA），支持多载波、高带宽（如 20–100 MHz）信号放大； - 无线通信系统：广泛应用于 4G LTE 和 5G NR（Sub-6 GHz）基站发射链路，满足高线性度（ACLR/ACPR）、高效率（典型漏极效率 >55% @ 2140 MHz）及高输出功率（连续波下可达 140 W，脉冲模式更高）要求； - 工业与广播设备：可用于 RFID 激励器、无线中继器、点对点微波回传系统的射频功放模块； - 测试与开发平台：作为评估板核心器件，用于射频PA设计验证、包络跟踪（ET）和数字预失真（DPD）算法开发。 该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1222A），具备优异热管理能力与高可靠性，支持宽带匹配设计，适配 Doherty 架构等先进PA拓扑。需配合NXP官方参考电路、匹配网络及散热方案使用，以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF LDMOS 28V 500MA NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P20140WHSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 其它名称 | MRF8P20140WHSR5TR |
| 功率-输出 | 24W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 500mA |
| 频率 | 1.88GHz ~ 1.91GHz |
| 额定电流 | - |
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