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型号： MRF8P20140WHR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P20140WHR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P20140WHR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P20140WHR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8P20140WHR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P20140WHR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8P20140WHR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频功率 LDMOS 晶体管，专为 2.0–2.2 GHz 频段设计（典型工作频段：2010–2025 MHz），适用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝射频功率放大器。其核心应用场景包括：  
✅ 4G LTE 和 5G NR 基站发射链路：支持高效率（典型PAE ≥ 55% @ 2.025 GHz）、高线性度（满足ACLR要求）的多载波信号放大；  
✅ 大规模MIMO（Massive MIMO）有源天线单元（AAU）：凭借140 W峰值输出功率（脉冲/连续波模式可选）及优异热稳定性，适配紧凑型、高集成度射频前端；  
✅ 宽带无线接入系统（如WCDMA、TD-LTE）：内置ESD保护与优化匹配结构，简化外围电路设计，提升系统可靠性；  
✅ 工业/专用无线通信设备：如公共安全通信、专网基站等对高功率、高可靠性有严苛要求的场景。  
该器件采用气腔陶瓷封装（SOT-1229），支持风冷或液冷散热，符合RoHS标准，广泛用于电信设备制造商（OEM）的射频功放模块开发中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	FET RF LDMOS 28V 500MA NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8P20140WHR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	24W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	500mA
频率	1.88GHz ~ 1.91GHz
额定电流	-