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- 型号： MRF8P18265HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P18265HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P18265HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P18265HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P18265HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P18265HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P18265HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.7 GHz 频段设计（典型应用：2.14–2.20 GHz 及 2.5–2.7 GHz），采用气腔封装（Over-Molded Air Cavity），具备高增益、高效率与优异线性度。其主要应用场景包括： - 4G/5G 宏基站功率放大器（PA）：广泛用于 TDD/FDD 基站的末级功放模块，支持 LTE-Advanced 和 5G NR Sub-6 GHz 部署，满足高输出功率（典型 P3dB 达 265 W）与ACLR/IMD 线性指标要求； - 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的多载波宽带功率放大环节； - 广播与通信中继系统：适用于点对多点微波回传、公共安全通信及军用/航空通信的高可靠性射频发射链路； - 工业与科研射频源：如 RFID 激励器、EMC 测试信号源及等离子体发生器等需稳定连续波（CW）或调制信号输出的场景。 该器件支持高电压（32 V 或 28 V 供电）、高结温（Tj ≤ 200°C）运行，配合匹配电路可实现宽带高效工作，是面向高功率、高可靠性无线通信基础设施的关键射频半导体元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230S8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8P18265HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230S-8 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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