Datasheet下载- 型号： MRF8P18265HR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P18265HR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P18265HR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P18265HR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8P18265HR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8P18265HR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8P18265HR6 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS 功率晶体管，专为 1.8–2.65 GHz 频段设计，典型应用于蜂窝通信基站中的宏蜂窝和微蜂窝功率放大器。其主要应用场景包括：4G LTE 和 5G NR（Sub-3 GHz）基站发射链路的末级功放（PA），尤其适用于 TDD/FDD 模式下的多载波、高效率信号（如 OFDMA）放大；支持高输出功率（典型 P3dB 达 265 W），具备优异的增益（约 17 dB）、效率（在 2.14 GHz 典型应用中漏极效率 >55%）及线性度，可配合数字预失真（DPD）技术满足严苛的 ACLR 要求；亦可用于宽带无线接入（WiMAX）、公共安全通信（如 TETRA/LMR）及有源天线系统（AAS）中的射频功率模块。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），支持风冷/液冷散热，适用于高可靠性、连续波（CW）或高峰均比（PAR）调制信号的工业级部署环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 1840MHZ 30V NI1230-8 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8P18265HR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI1230-8 |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16dB |
| 封装/外壳 | SOT-1110A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.88GHz |
| 额定电流 | - |
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