【未分类_MRF8HP21130HR5】封装/厂家_MRF8HP21130HR5中文资料_价格

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型号： MRF8HP21130HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21130HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF8HP21130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8HP21130HR5 是 Fremont Micro Devices USA（注：实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产，Fremont Micro Devices 并非其原始制造商，可能存在品牌授权或分销混淆）推出的高性能射频功率 MOSFET，属 LDMOS 工艺，工作频率范围为 1805–2170 MHz（覆盖 B1/B2/B25/B34/B39 等 4G LTE 及部分 5G n1/n41 频段），典型输出功率达 130 W（连续波），适用于基站和中继设备中的射频末级功率放大器（PA）。

主要应用场景包括：  
✅ 宏蜂窝/微蜂窝基站的多载波宽带功率放大模块；  
✅ 有源天线单元（AAU）及小型化 4G/5G 基站射频前端；  
✅ 宽带无线接入系统（如 WiMAX、专网通信）的高效率发射链路；  
✅ 射频测试仪器与实验室用宽带功放子系统（需搭配匹配电路与散热设计）。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），具备高增益（约 17 dB）、高漏极效率（>60% @ 9V VDD，2140 MHz）及优异的热稳定性和可靠性，支持数字预失真（DPD）线性化技术，满足严苛的 ACLR 和 EVM 指标要求。使用时需配合精确的输入/输出阻抗匹配网络、低感电源去耦及强制风冷/液冷散热方案。

（注：选型前请以 NXP 官方数据手册 MRF8HP21130HR5 Rev. 4 为准，并确认供应链来源真实性。）

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 65V NI780-4
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册
产品图片
产品型号	MRF8HP21130HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780-4
功率-输出	28W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	NI-780-4
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	360mA
频率	2.17GHz
额定电流	-