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- 型号： MRF8HP21130HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21130HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21130HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21130HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8HP21130HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21130HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8HP21130HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS Band I）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝及微蜂窝无线通信基站中的末级功率放大器（PA），支持高效率、高线性度多载波信号放大；适用于4G LTE 和向5G演进中的分布式基站（BBU+RRU架构）及有源天线单元（AAU）的射频功放模块；亦可用于小基站（Small Cell）、直放站和室内分布系统等中功率射频发射设备。该器件采用气腔封装（NI-780H），具备优异热性能与可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz LTE 4×CC，PAR=7.5 dB）下输出130 W平均功率（典型Pout=130 W @ 2.14 GHz），并实现高漏极效率（>60%）和良好ACLR（<-45 dBc）。其内置ESD保护与匹配输入/输出阻抗（50 Ω系统优化），便于简化外围电路设计，广泛应用于电信基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 65V NI780-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8HP21130HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 360mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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