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- 型号： MRF8HP21080HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8HP21080HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8HP21080HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8HP21080HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8HP21080HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8HP21080HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8HP21080HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达 2.1–2.2 GHz（支持 2110–2170 MHz），典型输出功率达 80 W（连续波），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 4G LTE/5G Sub-6 GHz 基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和中继站的末级功放（PA），支持多载波、高PAR信号（如OFDMA），配合DPD（数字预失真）技术可实现优异ACLR与EVM性能。 - 无线通信基础设施：适用于WCDMA、TD-LTE、NR TDD等制式，满足3GPP Class A/B线性放大需求，尤其适合2.1 GHz频段（如B1/B34/B39）的室内分布系统及小型基站（Small Cell）扩展模块。 - 广播与专网通信：可用于航空通信（L-band邻近频段适配）、公共安全无线系统（如TETRA、P25）的高可靠性射频发射链路。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），具备优异热稳定性与功率密度，支持高电压（VDD=28 V或32 V）运行，集成ESD保护，简化外围设计。需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热方案使用。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 16W NI780S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8HP21080HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780HS-4 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.4dB |
| 封装/外壳 | NI-780HS-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 150mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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