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产品简介:
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MRF7S38075HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET,专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率为3.4–3.8 GHz(覆盖B42/B43 LTE-TDD及5G NR n77/n78频段),输出功率达75 W(连续波),适用于基站基础设施。 主要应用场景包括: - 5G宏基站与小型基站(Small Cell)的末级功率放大器(PA):支持大规模MIMO和载波聚合,具备高增益(约16 dB)、高效率(典型PAE >55% @ 3.5 GHz)和优异线性度(满足ACLR要求); - 宽带无线接入系统(如WIMAX、点对点微波回传); - 有源天线单元(AAU)和射频拉远单元(RRU)中的多载波宽带放大模块; - 工业、科学与医疗(ISM)频段设备(如3.5 GHz频段雷达或测试仪器)中的高可靠性射频源。 该器件采用气腔封装(NI-780H-4L),集成ESD保护与优化热设计,支持高结温(Tj ≤ 200°C)运行,适配现代基站对小型化、高功率密度和长期稳定性的严苛需求。需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真(DPD)技术以实现最优性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38075HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 900mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |