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  • 型号: MRF7S38075HSR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38075HSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38075HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38075HSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF7S38075HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF7S38075HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S38075HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET,专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率为3.4–3.8 GHz(覆盖B42/B43 LTE-TDD及5G NR n77/n78频段),输出功率达75 W(连续波),适用于基站基础设施。

主要应用场景包括:  
- 5G宏基站与小型基站(Small Cell)的末级功率放大器(PA):支持大规模MIMO和载波聚合,具备高增益(约16 dB)、高效率(典型PAE >55% @ 3.5 GHz)和优异线性度(满足ACLR要求);  
- 宽带无线接入系统(如WIMAX、点对点微波回传);  
- 有源天线单元(AAU)和射频拉远单元(RRU)中的多载波宽带放大模块;  
- 工业、科学与医疗(ISM)频段设备(如3.5 GHz频段雷达或测试仪器)中的高可靠性射频源。

该器件采用气腔封装(NI-780H-4L),集成ESD保护与优化热设计,支持高结温(Tj ≤ 200°C)运行,适配现代基站对小型化、高功率密度和长期稳定性的严苛需求。需配合匹配网络、偏置电路及数字预失真(DPD)技术以实现最优性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 12W 30V NI-780S

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF7S38075HSR5

PCN过时产品

http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

NI-780S

功率-输出

12W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

14dB

封装/外壳

NI-780S

晶体管类型

LDMOS

标准包装

50

电压-测试

30V

电压-额定

65V

电流-测试

900mA

频率

3.4GHz

额定电流

10µA

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