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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38040HSR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38040HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38040HSR5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF7S38040HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF7S38040HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38040HSR5 是 Fremont Micro Devices USA(注:实际该型号由 NXP Semiconductors 原厂设计并量产,Fremont Micro Devices 并非其原始制造商,可能存在品牌授权或分销混淆)推出的高性能射频 LDMOS MOSFET,工作频率达 3.8 GHz,典型用于 3.5 GHz 频段(如 WiMAX、5G Sub-6 GHz 基站、小型蜂窝、有源天线单元AAU等)。 其主要应用场景包括: - 5G 无线基础设施:作为宏基站或微基站功率放大器(PA)末级,在 3.3–3.8 GHz 频段实现高效率、高线性度信号放大; - 宽带无线接入系统:支持 WiMAX(IEEE 802.16e/m)及点对多点(PMP)通信设备的射频发射链路; - 工业/专用通信设备:如公共安全宽带专网(如 TETRA 增强型、FirstNet)、无人机图传中继、毫米波回传前端的 sub-6 GHz 功放模块; - 测试与开发平台:适用于射频实验室中的功率放大器参考设计、线性化算法(DPD)验证及热仿真研究。 该器件采用高可靠性陶瓷封装(NI-780H),具备优异的热性能和抗失配能力,支持连续波(CW)及复杂调制信号(如 256-QAM OFDM)下稳定工作,典型输出功率达 40 W(P3dB),PAE > 50%。需配合匹配网络、偏置电路及高效散热设计使用。 (注:选型时请以 NXP 官方数据手册为准,并确认供货渠道资质。)
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38040HSR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400S-240 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-400S-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |