【未分类_MRF7S38040HSR3】封装/厂家_MRF7S38040HSR3中文资料_价格

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型号： MRF7S38040HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38040HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38040HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38040HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S38040HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38040HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S38040HSR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为宽带、高效率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为1.8–2.7 GHz（支持WCDMA、LTE、5G Sub-6 GHz等主流蜂窝频段），额定输出功率达40 W（连续波），峰值功率更高，具备优异的增益（约18 dB）、高漏极效率（>60% @ 2.14 GHz）及良好的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 4G/5G宏基站与微基站功率放大器（PA）：用于基站发射链路末级功放，支持多载波宽带信号（如20 MHz LTE或NR载波），满足ACLR和EVM等严苛线性度要求；  
✅ 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型基站（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频功放模块；  
✅ 通用宽带射频放大：适用于ISM频段（如2.4 GHz）、公共安全通信（TETRA、P25）、广播辅助发射及测试测量仪器中的高可靠性射频源驱动。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异散热能力，支持高可靠性连续运行，并兼容NXP推荐的匹配电路与偏置方案，便于快速集成至商用基站PA设计中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S38040HSR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400S-240
功率-输出	8W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	14dB
封装/外壳	NI-400S-240
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	450mA
频率	3.4GHz
额定电流	10µA