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- 型号： MRF7S38040HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38040HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38040HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38040HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S38040HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38040HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38040HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 晶体管，属于晶体管—FET，MOSFET—射频类别。该器件专为宽带、高效率、高功率射频放大应用设计，典型工作频率范围为 1805–2200 MHz（覆盖 B1/B3/B7/B38/B40/B41 等主流蜂窝频段），额定输出功率达 40 W（连续波，CW），在 3.6 GHz 下仍具备优异性能。 主要应用场景包括： ✅ 4G/5G宏基站功率放大器（PA）：广泛用于Sub-3.5 GHz频段的远程射频单元（RRU）和有源天线系统（AAS）中，支持高线性度与高效率（典型PAE > 60% @ 1.9 GHz）。 ✅ 无线基础设施设备：如分布式基站（DAS）、小型基站（Small Cell）的末级功放模块，满足高可靠性与长期稳定运行要求。 ✅ 宽带射频测试与仿真系统：适用于实验室用宽带激励源、信号发生器后级驱动及EMC测试放大器等场景。 ✅ 专用通信系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-M）、专网宽带集群（PDT、B-TrunC）等对热稳定性与抗失配能力要求严苛的场合。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），集成ESD保护与优化的输入/输出阻抗匹配，简化外围电路设计；支持50 V供电，具备良好的VSWR耐受能力（10:1），适合严苛部署环境。 注：“品牌为-”应为信息缺失，实际品牌为NXP（恩智浦半导体）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 8W 30V NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38040HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400-240 |
| 功率-输出 | 8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | NI-400-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 450mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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