【未分类_MRF7S38010HSR5】封装/厂家_MRF7S38010HSR5中文资料_价格

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型号： MRF7S38010HSR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38010HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38010HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38010HSR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S38010HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38010HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S38010HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为宽带、高功率、高效率的射频功率放大应用设计。其典型工作频率范围为 1805–1880 MHz（适用于 LTE Band 3 上行/下行），亦可扩展用于 1.8–2.2 GHz 宽带应用。

主要应用场景包括：  
✅ 蜂窝基站功率放大器：广泛用于 4G LTE 宏基站和小型基站（Small Cell）的末级功放（PA），支持高线性度与高效率（典型漏极效率 >65% @ 1880 MHz），满足严苛的ACLR（邻道泄漏比）要求；  
✅ 无线通信基础设施：适用于多载波（MC-CDMA、OFDMA）系统，支持高峰均比（PAPR）信号（如20 MHz LTE 1×CC），具备良好热稳定性和长期可靠性；  
✅ 广播与专用无线系统：可用于数字电视发射机（DVB-T/T2）、公共安全通信（TETRA、P25）及点对点微波中继系统的中高功率射频放大模块；  
✅ 工业与科研射频源：在射频加热、等离子体发生、EMC 测试等需要连续波（CW）或脉冲大功率输出的场景中作为核心功率器件。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷散热，额定输出功率达 10 W（平均）/ 100 W（峰值），并内置ESD保护与优化的栅极结构，便于驱动与匹配设计。配套提供NXP官方参考电路、匹配网络建议及仿真模型（ADS/MWO），加速产品开发。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400S
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S38010HSR5
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400S-240
功率-输出	2W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15dB
封装/外壳	NI-400S-240
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	30V
电压-额定	65V
电流-测试	160mA
频率	3.4GHz
额定电流	10µA