Datasheet下载- 型号： MRF7S38010HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S38010HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S38010HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S38010HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S38010HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S38010HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S38010HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为宽带、高效率、高功率射频放大应用设计。其典型工作频率范围为1.8–2.2 GHz（支持DC至3.5 GHz宽带操作），额定输出功率达10 W（连续波，CW），峰值功率更高，具备优异的增益（约17 dB）、高功率附加效率（PAE > 60%）及良好的线性度。 主要应用场景包括： ✅ 4G LTE/5G Sub-6 GHz 基站射频功放：适用于宏基站、微基站及有源天线单元（AAU）中的末级功率放大器（PA），尤其适合TDD/FDD系统中2.1 GHz频段（如Band 1/ Band 3/ Band 34/39）。 ✅ 无线基础设施设备：如远程射频单元（RRU）、分布式天线系统（DAS）和小基站（Small Cell）中的宽带多载波放大器。 ✅ 工业与通信测试设备：用作信号发生器、射频功率放大模块或EMC抗扰度测试系统的激励级/驱动级放大器。 ✅ 广播与宽带通信系统：支持数字电视（DTMB）、WiMAX等中高频段发射应用（需匹配外围电路与散热设计）。 该器件采用陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，需配合匹配网络、稳定偏置电路及高效散热方案使用。注意：不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 2W 30V NI-400 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S38010HR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-400-240 |
| 功率-输出 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | NI-400-240 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 30V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 160mA |
| 频率 | 3.4GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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