【未分类_MRF7S35015HSR3】封装/厂家_MRF7S35015HSR3中文资料_价格

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型号： MRF7S35015HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S35015HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S35015HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S35015HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S35015HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S35015HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S35015HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为宽带、高效率、高线性度的射频功率放大应用设计。其典型工作频率为3.4–3.8 GHz（支持Sub-6 GHz 5G NR频段），额定输出功率达15 W（连续波），具备高增益（约17 dB）、高漏极效率（>55%）及优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
✅ 5G宏基站与小型基站（Small Cell）功率放大器：适用于3.5 GHz主流5G商用频段（如n78），满足Massive MIMO远端射频单元（RRU）中末级功放需求；  
✅ 宽带无线接入系统：如WLAN 6E（5.925–7.125 GHz）扩展应用、WiMAX及点对多点（PMP）通信设备；  
✅ 工业/科研射频源：用于RF加热、等离子体激励、EMC测试等中功率射频信号发生系统；  
✅ 军用与航空通信：在L/S波段雷达辅助模块、战术数据链终端中承担固态功率放大功能（需符合相应可靠性与温度等级要求）。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高功率密度安装与强制风冷/液冷散热，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案（如Class AB或Doherty架构），可实现优异ACLR与EVM性能，满足严苛的5G NR 100 MHz带宽调制要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 15W NI-400S-240
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S35015HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-400S-240
功率-输出	15W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-400S-240
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	32V
电压-额定	65V
电流-测试	50mA
频率	3.1GHz
额定电流	10µA