Datasheet下载- 型号： MRF7S27130HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S27130HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S27130HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S27130HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S27130HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S27130HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S27130HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为 2.7 GHz 频段（典型工作频段：2.62–2.72 GHz）设计，适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大。其主要应用场景包括： - 5G 宏基站（Sub-6 GHz）发射链路：作为末级功率放大器（PA），支持 TDD 模式下的高平均功率输出（典型 Pout = 130 W，Gp ≈ 16.5 dB，ηD ≈ 45% @ 2.65 GHz），满足 5G NR Band 41/42/43 等频段需求； - 无线基础设施设备：用于分布式单元（DU）、有源天线单元（AAU）及远程射频单元（RRU）中的多载波（MC-OFDMA）信号放大，具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，满足严苛的3GPP线性度要求； - 宽带通信系统：适用于点对点微波回传、公共安全通信（如TETRA/LTE-Public Safety）及军用/航空通信中需高可靠性与宽瞬时带宽（≥ 80 MHz）的场景； - 工业与科学应用：如射频加热、等离子体发生器等需要稳定连续波（CW）或脉冲大功率输出的非通信类射频源。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H-4L），支持强制风冷或液冷散热，具备出色的热稳定性和长期可靠性，符合基站设备 7×24 小时运行要求。注：实际应用需配合匹配电路、偏置网络及保护机制（如VSWR耐受设计）以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 23W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S27130HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 23W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.5A |
| 频率 | 2.5GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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