Datasheet下载- 型号： MRF7S21210HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21210HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21210HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21210HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21210HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21210HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21210HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35等）基站应用设计。其典型应用场景包括：宏蜂窝及微蜂窝基站的末级功率放大器（PA），支持高线性度与高效率要求；适用于多载波、宽带通信系统（如20 MHz LTE信号），具备优异的ACPR（邻道功率比）和EVM（误差矢量幅度）性能；亦可用于小型基站（Small Cell）、有源天线单元（AAU）及分布式天线系统（DAS）中的射频功放模块。该器件采用气腔封装（NI-780H），支持高输出功率（典型Pout = 100 W CW / 210 W PEP），结温可达225°C，具备良好热稳定性和长期可靠性，满足电信级连续运行需求。需配合匹配网络、偏置电路及散热设计使用，常搭配NXP推荐的驱动级MOSFET（如MRF7S21150H）构成完整射频链路。不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 63W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21210HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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