Datasheet下载- 型号： MRF7S21210HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21210HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21210HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21210HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21210HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21210HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21210HSR3 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频（RF）LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段设计（典型用于WCDMA、LTE和5G Sub-6 GHz基站应用）。其主要应用场景包括： - 宏蜂窝/大规模MIMO基站功率放大器（PA）：支持高输出功率（典型10 W平均功率，峰值可达~210 W）、高效率（>55%漏极效率）及优异线性度，适用于多载波WCDMA/LTE系统。 - 无线通信基础设施：广泛用于2.1 GHz频段的4G LTE FDD Band 1 和5G NR n1/n25/n66基站发射链路，满足ACLR（邻道泄漏比）和EVM（误差矢量幅度）严苛指标。 - 工业与专用无线系统：如公共安全通信、专网宽带无线接入（e.g., TETRA增强型、P25）及小基站（Micro/Pico Cell）的末级功放模块。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热管理能力与高可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz 8-carrier LTE）工作。需配合匹配网络、偏置电路及驱动级使用，常集成于NXP推荐参考设计中（如MRF7S21210HSR3评估板）。 注意：该器件已进入NXP产品生命周期终止（EOL）阶段，建议新设计考虑其替代型号（如MRF7S21210HR5或AFM901D系列），并核实最新供货与设计支持状态。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 63W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21210HSR3 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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