Datasheet下载- 型号： MRF7S21210HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21210HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21210HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21210HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21210HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21210HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21210HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35等）基站功率放大器设计。其典型应用场景包括：宏基站（Macrocell）和中继站（Relay Node）中的末级射频功率放大器（PA），尤其适用于高效率、高线性度要求的多载波宽带通信系统；支持20–40 W平均输出功率（取决于配置与散热条件），配合DPD（数字预失真）技术可满足ACLR与EVM严苛指标；亦可用于小基站（Metrocell）及有源天线单元（AAU）中的功放模块。该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备优异热稳定性与可靠性，支持连续波（CW）及复杂调制信号（如20 MHz LTE 4x20 MHz MC-WCDMA）工作。广泛应用于全球主流4G LTE及部分5G Sub-6 GHz基础设施设备中，是通信设备制造商在2.1 GHz频段高功率射频前端的关键器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 63W NI-780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21210HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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