【未分类_MRF7S21170HSR3】封装/厂家_MRF7S21170HSR3中文资料_价格

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型号： MRF7S21170HSR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21170HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21170HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21170HSR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S21170HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21170HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF7S21170HSR3是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号专为高功率射频应用设计，具有以下主要应用场景：

1. 无线通信系统：  
   MRF7S21170HSR3适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器（RFPA）。它能够提供高输出功率和效率，支持L频段和S频段的无线通信。

2. 广播系统：  
   用于调频（FM）和电视广播系统的射频功率放大器。其高线性和稳定性使其成为广播发射机的理想选择。

3. 航空航天与国防：  
   在雷达系统、卫星通信以及电子战设备中，该器件可实现高功率射频信号的传输和放大。其坚固的设计能够适应严苛的工作环境。

4. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   包括工业加热、等离子体生成和医疗成像设备等领域，需要高功率射频能量的应用场景。

5. 测试与测量设备：  
   用于射频信号发生器、频谱分析仪等高端测试仪器中，确保信号的高质量输出。

MRF7S21170HSR3以其卓越的性能参数（如高功率增益、宽频率范围和高效率）在上述领域表现出色，同时其可靠性也得到了广泛认可。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CHAN 50W 28V NI-88OS
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S21170HSR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-880S
功率-输出	50W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	16dB
封装/外壳	NI-880S
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.4A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA