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- 型号： MRF7S21150HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21150HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21150HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21150HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21150HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21150HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21150HSR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS 2100 MHz）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器：广泛用于宏基站（Macrocell）和分布式基站（Remote Radio Head, RRH）的末级功放（PA），支持高线性度与高效率（典型PAE >55% @ 2.14 GHz），满足4G LTE及部分5G NR Sub-6 GHz前传/中传系统对邻道泄漏比（ACLR）和误差矢量幅度（EVM）的严苛要求。 - 无线基础设施设备：适用于多载波宽带放大系统，支持150 W连续波（CW）输出或峰值功率达300 W的脉冲/OFDM信号；内置ESD保护与热增强型陶瓷封装（NI-780H），适应高可靠性室外通信环境。 - 微波链路与专网通信：在公共安全、广电发射、工业无线系统中，用于2.1 GHz频段的中功率射频发射模块，兼顾带宽（>60 MHz）、增益（≥17 dB）与长期稳定性。 该器件需配合匹配电路、偏置网络及散热设计使用，不适用于低频开关电源或音频放大等非射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 150W NI780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21150HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 44W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.5dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.35A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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