【未分类_MRF7S21150HR5】封装/厂家_MRF7S21150HR5中文资料_价格

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型号： MRF7S21150HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21150HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21150HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21150HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S21150HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21150HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S21150HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/UMTS 2100 MHz）设计。其典型应用场景包括：  
1. 蜂窝基站功率放大器（PA）：作为宏基站或中继站末级功放核心器件，支持高线性度、高效率（典型PAE达60%以上）和高输出功率（连续波下150 W，脉冲/调制信号下可稳定输出100–120 W平均功率），满足4G LTE及向5G演进的前传/分布式基站需求；  
2. 无线通信基础设施：适用于多载波宽带系统（如20 MHz带宽内多载波WCDMA/LTE），具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，支持DPD（数字预失真）线性化技术；  
3. 工业与专用无线系统：如公共安全通信（TETRA增强型）、点对点微波回传（配合2.1 GHz频段）、以及小型化有源天线单元（AAU）中的射频功放模块。  
该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），具备高热稳定性与可靠性，支持+28 V或+32 V单电源供电，集成ESD保护，简化外围电路设计。需配合匹配网络、散热器及驱动级放大器使用。  
注意：不适用于消费类终端（如手机），仅面向专业级射频功率放大应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 44W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S21150HR5
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	44W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.35A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA