【未分类_MRF7S21150HR3】封装/厂家_MRF7S21150HR3中文资料_价格

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型号： MRF7S21150HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21150HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21150HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21150HR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S21150HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21150HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S21150HR3 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS 功率晶体管，属于晶体管—FET/MOSFET—射频类别。其典型工作频率为2.1–2.2 GHz（如2110–2170 MHz），额定输出功率达150 W（连续波），具备高增益（约18 dB）、高效率（典型值65%）和优异的热稳定性。

主要应用场景包括：  
- 4G LTE 基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和分布式基站的末级功放模块，支持2.1 GHz频段（如B1/B4/B39等），满足高线性度与ACLR要求；  
- 5G Sub-6 GHz 前传/微站预商用系统：在2.1 GHz兼容频段中作为中功率射频放大单元，适用于低复杂度、高可靠性场景；  
- 无线通信测试设备与宽带射频源：用于信号发生器、功率放大模块及EMC测试系统中的高稳定CW/调制信号放大；  
- 专用无线系统：如公共安全通信（TETRA/LTE-Public Safety）、专网宽带（如PDT/GoTa增强型链路）的发射链路。

该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持强制风冷或液冷设计，适用于工业级温度范围（−40°C 至 +150°C），强调长期运行可靠性与抗负载失配能力（VSWR ≥ 10:1 耐受）。需配合匹配网络、偏置电路及保护机制（如VSWR检测、过温关断）使用。  

注：“品牌为-”可能指品牌信息缺失，实际制造商为NXP Semiconductors。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 44W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S21150HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	44W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	17.5dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	1.35A
频率	2.11GHz
额定电流	10µA