Datasheet下载- 型号： MRF7S21110HSR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21110HSR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21110HSR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21110HSR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S21110HSR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21110HSR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S21110HSR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为2.1–2.2 GHz频段（如WCDMA、LTE FDD Band 1/4/34/35）设计。其典型应用场景包括： - 蜂窝基站功率放大器（PA）：广泛用于宏基站和小型基站（Small Cell）的末级射频功放模块，支持高线性度与高效率（典型PAE达65% @ 2.14 GHz），满足5G前传及4G LTE高吞吐需求； - 无线通信基础设施：适用于多载波（MC-WCDMA/LTE）系统，具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，保障信号纯净度与频谱合规性； - 广播与专用无线系统：可拓展用于PMR、TETRA或宽带无线接入设备中的中高功率射频发射链路； - 工业/科研射频源：在EMC测试、等离子体激发、射频加热等需稳定2.1 GHz连续波输出的场景中作为核心功率器件。 该器件采用气腔封装（NI-780H-4L），支持高结温（Tj ≤ 200°C）、高增益（Gp ≥ 19 dB）及110 W峰值输出功率，配合NXP推荐的匹配电路与偏置方案，可实现可靠、高效、低失真的射频放大功能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 33W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S21110HSR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 功率-输出 | 33W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.3dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.1A |
| 频率 | 2.11GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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