【未分类_MRF7S21080HR5】封装/厂家_MRF7S21080HR5中文资料_价格

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型号： MRF7S21080HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S21080HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S21080HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S21080HR5封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF7S21080HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S21080HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF7S21080HR5 是 NXP（恩智浦）推出的高性能射频 LDMOS MOSFET 晶体管，专为 2.1–2.2 GHz 频段设计（如 PCS/UMTS/WCDMA/LTE 基站的 2100 MHz 频段），典型应用包括：

- 蜂窝通信基站功率放大器：广泛用于宏基站和微基站的末级功放（PA），支持多载波、高效率（典型漏极效率达 45–50% @ P3dB）、高线性度（满足 ACLR 要求），适用于 LTE 和 5G NR（Sub-3 GHz）前传/中继场景。

- 无线基础设施设备：如分布式天线系统（DAS）、小型蜂窝（Small Cell）和有源天线单元（AAU）中的射频发射链路。

- 工业与广播类射频源：在特定宽带激励、医疗射频加热或科研测试系统中，作为稳定可靠的 80W 连续波（CW）或平均功率放大器件（峰值功率更高）。

该器件采用气腔陶瓷封装（HR5），具备优异热性能与可靠性，支持高电压（VDD = 28 V）、高增益（约 16–18 dB @ 2.14 GHz）及宽输入/输出匹配带宽，便于简化外围电路设计。需配合合适偏置电路、稳定性网络与散热方案使用。

注意：实际应用中须严格遵循 NXP 官方参考设计（如 MRF7S21080HR5 EVB）及射频布局规范，确保阻抗匹配、去耦与EMI控制。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 22W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF7S21080HR5
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	22W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	18dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	800mA
频率	2.11GHz
额定电流	10µA