Datasheet下载- 型号： MRF7S19210HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S19210HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S19210HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S19210HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF7S19210HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF7S19210HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF7S19210HR5 是 NXP USA Inc. 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，工作频率达 1.9–2.2 GHz（典型用于 1.96 GHz LTE/WCDMA 频段），输出功率高达 210 W（峰值），适用于高效率、高线性度的宽带射频功率放大场景。其主要应用场景包括： - 4G/5G宏基站功率放大器（PA）：作为末级功放（Final PA），支持多载波、高阶调制（如256-QAM）信号，满足LTE-A及5G NR Sub-6 GHz基站对高增益（>18 dB）、高效率（典型PAE >65% @ P3dB）和优异ACLR性能的要求； - 无线基础设施设备：用于分布式基站（DAS）、有源天线单元（AAU）及微基站中的射频发射链路； - 广播与专网通信：适用于公共安全通信、TETRA、PMR等中高功率宽带射频发射系统； - 工业与科研射频源：如MRI射频激励、等离子体发生器、RF加热等需稳定大功率射频输出的非通信领域。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持高可靠性风冷/液冷散热，内置ESD保护与热反馈结构，便于设计高稳定性、长寿命的射频功放模块。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF7S19210HR5 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14260.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 63W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.4A |
| 频率 | 1.93GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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